DPG60C400HB
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
10
20
[A]
30
F
40
50
60
70
80
0 200 400 600
40
60
[ns]
80
100
120
140
1 10 100 1000 10000
0.0
0.2
[K/W]
0.4
0.6thJC
0.8
1.0
0 40 80 120 160
0.0
0.2
0.4
0.6
Kf0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
TVJ
[°C]
-diF
/dt [A/μs]
t[ms]
0 200 400 600
0
100
200
[ns]
300
fr
400
500
600
700
2
4
6
8
10
12
14
16
0 200 400 600
4
8
12
16
20
0 200 400 600
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Qrr
[μC]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
Z
IRR
Qrr
VFR
tfr
TVJ
=150°C
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recovery current
IRR
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRR
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trrversus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recov. voltage
VFR
&timetfr
versus diF/dt
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case
25°C
I
-diF
/dt [A/μs]
IRR
[A]
trr
-diF/dt [A/μs]
t
VFR
[V]
0 200 400 600
0
10
20
30
40
50
Erec
[μJ]
-diF/dt [A/μs]
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
TVJ
= 125°C
VR
=270 V
TVJ
=125°C
VR
= 270 V
TVJ
=125°C
VR
= 270 V
TVJ
= 125°C
VR
=270 V
IF
= 30 A
TVJ
=125°C
VR
= 270 V
60 A
30 A
15 A
15 A
30 A
60 A
60 A
30 A
15 A
60 A
30 A
15 A
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131101a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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